اتفاق Vertiv و Infineon لثلاث سنوات غير متحقق منه ومبيعات الأولى بلغت 4.313 مليار دولار
الحقائق الرئيسية
لا يتوافر تحقق من اتفاق Vertiv وInfineon المزعوم لمدة ثلاث سنوات لتوريد أشباه الموصلات، وهو الخبر المنسوب إلى 4 نوفمبر 2026. ولم أتمكن من التحقق من إعلان مطابق في مصدر موثوق مفتوح عن ذلك التاريخ. لذلك لا يمكن تأكيد مدة الاتفاق أو نطاقه أو شمول مكونات السيليكون وكربيد السيليكون. كذلك لم يتسن التحقق من أن الاتفاق يستهدف أنظمة طاقة بجهد 800 فولت تيار مستمر. وتظل هذه التفاصيل غير مؤكدة، فيما تظهر بيانات منشورة للشركتين سياقاً أوسع لطلب مراكز البيانات على حلول الطاقة.
في أحدث نتائجها المنشورة، قالت Vertiv في 28 أكتوبر إن صافي مبيعاتها بلغ 4.313 مليار دولار في الربع الثالث من 2026، بزيادة 61% مقارنة بالفترة نفسها من 2025. وأفاد الرئيس التنفيذي جيوردانو ألبيرتاتزي بأن الطلبات العضوية زادت بأكثر من 100% على أساس سنوي. ووصف البنية التحتية لمراكز البيانات بأنها «في خضم أكبر موجة توسع، وهذه الموجة تتسارع». وتوفر هذه النتائج خلفية عن نشاط الشركة في سوق تجهيزات مراكز البيانات، لكنها لا تثبت أن اتفاقاً مع Infineon أُبرم أو تحدد له أثراً مالياً. كما رفعت Vertiv توجيهها لمبيعات السنة المالية 2026 إلى نطاق 14.45–14.85 مليار دولار، مع نمو عضوي متوقع بين 37% و39%.
وفي إعلان منفصل بتاريخ 21 أكتوبر 2026، قالت Infineon إنها تطور تعاونها مع NVIDIA حول بنى طاقة تيار مستمر بجهد 800 فولت لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي. وتركز المبادرة على محول الناقل الوسيط عالي الجهد، وهو مرحلة تخفض الجهد المغذي لبطاقات المسرعات، بحسب الشركة. وقالت Infineon إن أحمال الذكاء الاصطناعي ذات الاستهلاك المرتفع للطاقة دفعت مراكز البيانات إلى تبني بنى الناقل الوسيط. وتدعم محفظة الشركة نسب تحويل من 800 إلى 50 فولت، ومن 800 إلى 12 فولت، ومن 800 إلى 6 فولت. وتعرض هذه التفاصيل تطبيقاً منشوراً لعمل Infineon في منظومات الطاقة ذات 800 فولت، لكنها تخص تعاونها مع NVIDIA ولا تثبت صلة باتفاق Vertiv المزعوم.
وأضافت Infineon أن تقنية نيتريد الغاليوم تتيح ترددات تبديل تصل إلى 1 ميغاهرتز في مرحلة محول الناقل الوسيط. وقالت إن التبديل الأسرع بخسائر أقل يسمح بتقليص حجم المكونات المغناطيسية والعناصر السلبية ورفع كثافة الطاقة. ويأتي ذلك ضمن تصميم منظومات تحويل الطاقة لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، حيث تتزايد متطلبات القدرة الكهربائية وفق وصف الشركة. وفي إعلان آخر بتاريخ 29 سبتمبر، قالت Infineon إن منصة Eaton المسماة MVSST 2.0 مصممة لتوزيع الطاقة في بنى الحوسبة عالية الكثافة وبجهد 800 فولت تيار مستمر. وذكرت أن المنصة تقلص مراحل التحويل مقارنة بالبنى التقليدية، في مثال إضافي على التطبيقات التي تعمل عليها الشركة مع شركاء آخرين.
وفي الإعلان نفسه، قالت Infineon إن Eaton وInfineon تستكشفان منصات لاحقة لمحولات الحالة الصلبة، باستخدام وحدات كربيد السيليكون بجهدي 2.3 و3.3 كيلوفولت. وتستهدف التطبيقات مراكز البيانات والشبكات والطاقة المتجددة، بحسب الشركة. ولا يتضمن هذا الإعلان تأكيداً لاتفاق التوريد المنسوب إلى Vertiv، إذ يصف عملاً استكشافياً مع Eaton. كما أن إعلان Vertiv في مايو 2025 قال إن محفظتها لحلول 800 فولت كان مقرراً إطلاقها في النصف الثاني من 2026، دعماً لمنصتي NVIDIA Kyber وRubin Ultra. ويضع ذلك حلول الطاقة عالية الجهد ضمن خطط معلنة سابقة للشركة، من دون أن يؤكد إبرام اتفاقها المزعوم مع Infineon.