تدفقات أكتوبر تكشف خروج 2.25 مليار دولار من صندوق DRAM رغم صعوده
الحقائق الرئيسية
سجّل صندوق Roundhill Memory ETF، المتداول برمز DRAM، تدفقات خارجة بنحو 2.25 مليار دولار في أكتوبر، بما يزيد على 11% من أصوله، بحسب تقرير نشرته Benzinga في 3 نوفمبر استناداً إلى بيانات جمعتها ETF.com. وجاء ذلك في وقت اجتذبت فيه صناديق أشباه الموصلات نحو 10.6 مليارات دولار خلال الشهر نفسه، ما يضع نزوح الأموال من صندوق الذاكرة ضمن حركة أوسع داخل القطاع. وذكر التقرير أن DRAM ظل مرتفعاً نحو 67% منذ بداية السنة حتى نهاية أكتوبر، رغم تلك التدفقات الخارجة. لذلك تتركز الوقائع المتاحة على حركة الأموال في أكتوبر وأداء الصندوق منذ بداية العام، لا على خسائر مؤكدة في جلسة نوفمبر.
يستثمر DRAM في شركات عالمية تنتج رقائق الذاكرة أو توفرها، بما يشمل ذاكرة النطاق الترددي العالي HBM وذاكرة NAND وDRAM، وفق وصف Roundhill Investments للصندوق. وتقول الشركة إن الصندوق يستهدف سلة محددة من شركات رقائق الذاكرة العالمية، وتصفه بأنه أول صندوق متداول للأسهم يركز على الذاكرة. ويجعل هذا التركيز حركة التدفقات في الصندوق مؤشراً على طلب المستثمرين على شركات الذاكرة، لكنه لا يعني أن خروج الأموال يساوي انخفاضاً مماثلاً في قيمة حيازات المستثمرين. كما أن التدفقات الخارجة تعكس حركة رأس المال إلى الصندوق ومنه، وهي مقياس منفصل عن عائد وحداته خلال الفترة. وبحسب تقرير Benzinga، تزامن نزوح الأموال من DRAM مع اتجاه قوي إلى صناديق أشباه الموصلات الأوسع.
أشار تقرير Benzinga إلى أن صناديق أشباه الموصلات اجتذبت نحو 10.6 مليارات دولار خلال أكتوبر، في حين فقد DRAM نحو 2.25 مليار دولار، أي ما يزيد على 11% من أصوله. ورأى التقرير أن هذا التباين قد يعكس جني المستثمرين للأرباح في أسهم الذاكرة بعد أداء قوي، مع استمرارهم في طلب التعرض الأوسع لشركات أشباه الموصلات. ووصف التقرير ذلك بأنه احتمال لانتقال المستثمرين داخل تجارة الذكاء الاصطناعي، بدلاً من التخلي عنها بالكامل. ويدعم ارتفاع DRAM بنحو 67% منذ بداية السنة حتى نهاية أكتوبر سياق الأداء القوي السابق الذي أشار إليه التقرير. لكنه لا يثبت وحده أن جني الأرباح كان سبب كل التدفقات الخارجة، إذ صيغ تفسير التقرير بوصفه احتمالاً.
وتظهر نتائج شركات الذاكرة استمرار الرهان على الطلب المرتبط بالبنية التحتية للذكاء الاصطناعي. قالت SK hynix إن إيراداتها تجاوزت 100 تريليون وون للمرة الأولى في الربع الثالث، وإنها تعتزم تسريع توسيع الطاقة الإنتاجية وتعزيز المنتجات عالية القيمة لمواصلة النمو في العام المقبل. وأضافت الشركة أن شحنات HBM4 بدأت فعلياً في الربع الثالث، وأنها تتوقع تجاوز هذا المنتج HBM3E في حجم الشحنات والإيرادات خلال الربع الرابع من 2026، مع استهداف تشغيل منشأة M15X بكامل طاقتها بنهاية العام. وتوفر هذه الخطط خلفية تشغيلية لاهتمام المستثمرين برقائق الذاكرة، فيما جاءت التدفقات الخارجة من الصندوق بالتوازي مع استمرار التوسع الذي أعلنته الشركة.
من جانبها، أعلنت Samsung أن إيراداتها المجمعة بلغت 195.3 تريليون وون في الربع الثالث من 2026، بزيادة 14% على أساس فصلي، وقالت إن أعمال الذاكرة تتوقع استمرار استثمارات البنية التحتية للذكاء الاصطناعي في الربع الرابع. وقالت Micron، في نتائج الربع الثالث من سنتها المالية 2026، إن HBM4 دخل مرحلة الشحنات كبيرة الحجم لمنصة عميلها الرئيسي. كما تتوقع الشركة بدء الإنتاج الكمي لـ HBM4E في السنة التقويمية 2027. وتشير إفادات الشركتين إلى استمرار الاستثمار وتطوير منتجات الذاكرة المتقدمة، بينما ظل سحب الأموال من DRAM في أكتوبر محصوراً في تدفقات الصندوق، بالتزامن مع اجتذاب الصناديق الأوسع للأموال.
كما لا تتوافر في الوقائع المفتوحة هنا حركة مؤكدة للسوق في 6 نوفمبر أو تفسير موثق لها. أما المحطات المقبلة التي أعلنتها الشركات فتشمل توقع SK hynix تفوق HBM4 على HBM3E في الشحنات والإيرادات خلال الربع الرابع من 2026، واستهدافها تشغيل M15X بكامل الطاقة بنهاية العام، إلى جانب توقع Micron بدء الإنتاج الكمي لـ HBM4E في 2027.