الأسهممتوسطتم التحديث×2•نُشر أصلاً في 28 أكتوبر 2026•حُدِّث في 28 أكتوبر 2026•
3 دقيقة قراءة

إيرادات CXMT ترتفع 873.64% إلى 150.31 مليار يوان في النصف الأول

الحقائق الرئيسية

1بلغت إيرادات CXMT في النصف الأول من 2026 نحو 150.31 مليار يوان، بزيادة 873.64% سنوياً.
2سجل صافي الربح العائد للمساهمين 77.61 مليار يوان، مقابل خسارة 2.33 مليار يوان في الفترة نفسها من العام السابق.
3تجاوزت الإيرادات الحد الأعلى لتوقعات الشركة السابقة للطرح العام بنحو 25%.
4ارتفع سهم CXMT بنسبة 466% في أول يوم تداول له في شنغهاي.

أعلنت شركة CXMT الصينية أن إيراداتها بلغت 150.31 مليار يوان في النصف الأول من 2026، بزيادة 873.64% على أساس سنوي، فيما سجل صافي الربح العائد للمساهمين 77.61 مليار يوان. وأظهرت النتائج تحولاً من خسارة قدرها 2.33 مليار يوان في الفترة نفسها من العام السابق إلى الربحية. وتجاوزت الإيرادات الحد الأعلى لتوقعات الشركة السابقة للطرح العام بنحو 25%، بعدما قدرت تلك التوقعات إيرادات النصف الأول بين 110 مليارات و120 مليار يوان. كما جاءت الأرباح أعلى من النطاق المتوقع، الذي تراوح بين 50 ملياراً و57 مليار يوان. وتعكس الأرقام توسع أعمال الذاكرة في وقت يشهد فيه القطاع طلباً قوياً ونقصاً عالمياً في الإمدادات.

وعزت CXMT طفرة الإيرادات إلى شح إمدادات ذاكرة DRAM عالمياً وارتفاع الأسعار، إلى جانب توسيع الإنتاج وتحسن مزيج المنتجات مع زيادة إنتاج منتجات أحدث مثل DDR5. وذكرت الشركة أن الطلب المتزايد على منتجات الذاكرة من قطاع الذكاء الاصطناعي أسهم في طفرة الأرباح. وتُظهر نتائج الربع الأول من 2026 تسارع هذا المسار؛ إذ بلغت الإيرادات 50.8 مليار يوان، بزيادة سنوية تجاوزت 700%، بحسب وكالة أسوشيتد برس. وربطت الوكالة ذلك بالطلب الناجم عن الصعود السريع لتطبيقات الذكاء الاصطناعي، في سياق نقص عالمي في شرائح الذاكرة. لكن نمو الإيرادات القائم على سوق DRAM لا يعني أن ذاكرة HBM3E المتقدمة أصبحت بالفعل مصدراً رئيسياً للدخل.

وفي مسار منفصل عن نتائج DRAM، أفادت رويترز في 28 أكتوبر بأن CXMT تتوقع بدء إنتاج محدود لذاكرة HBM3E خلال الشهرين التاليين. وقالت مصادر مطلعة للوكالة إن عائد التصنيع لا يزال ضعيفاً، بما يحد من قدرة الشركة على تحويل بدء الإنتاج إلى كميات تجارية كبيرة. ويضع هذا التحدي فجوة بين دخول المنتج مرحلة الإنتاج وبين القدرة على توفيره على نطاق واسع. وكانت صحيفة ذا إنفورميشن قد ذكرت في 31 أغسطس أن الشركة بدأت إنتاج HBM3E بكميات صغيرة، وأنها تخطط لتوسيع الإنتاج في 2027. ويختلف ذلك عن تقرير رويترز الأحدث الذي يحدد بدء الإنتاج المحدود خلال الشهرين التاليين، فيما يظل التوسع في 2027 خطة وردت في التقرير السابق.

وفي 20 سبتمبر، أعلنت CXMT دخول منصة G5 لذاكرة DRAM من الجيل الخامس مرحلة الإنتاج الضخم، وقالت إن عدد القوالب لكل رقاقة يزيد 50% على الأقل مقارنة بالمنصة السابقة عند توحيد المقارنة على كثافة 8Gb. كما كشفت عن منتجين من LPDDR5X مبنيين على المنصة، بسعة 24Gb لكل قالب، وقالت إن كليهما دخل الإنتاج الضخم. ويعزز الإعلان صورة توسع الشركة في منتجات الذاكرة التقليدية والأحدث، لكنه يتعلق بمنصة DRAM ومنتجات LPDDR5X. ولا يثبت هذا الإعلان دخول HBM3E مرحلة الإنتاج الضخم؛ فموعد الإنتاج المحدود لهذه الذاكرة ورد في تقرير رويترز على نحو منفصل. ويظل التمييز بين المنتجات مهماً عند تقييم مدى اتساع محفظة CXMT وقدرتها على تلبية الطلب.

وتنعكس طفرة الشركة أيضاً في السوق، إذ ارتفع سهم CXMT بنسبة 466% في أول يوم تداول له في شنغهاي، بحسب وكالة أسوشيتد برس. ويأتي هذا الأداء في وقت تترقب فيه الأسواق قدرة الشركة على مواصلة الاستفادة من نقص الذاكرة وارتفاع الأسعار. وفي المقابل، حذرت CXMT من أن فرض قيود تجارية إضافية قد يزعزع سلسلة إمدادها ويضر بالإنتاج والعمليات التجارية. وقالت الشركة إن النقص العالمي في منتجات DRAM قد يستمر في النصف الثاني من 2026. وتربط هذه المخاطر آفاق أعمالها باستمرار الطلب وتوافر الإمدادات، بينما يبقى الإنتاج المحدود لذاكرة HBM3E تطوراً مرتقباً خلال الشهرين التاليين.