سامسونج تتوقع استحواذ ذاكرة HBM على 30% من سعة إنتاج رقائق DRAM في 2027

الحقائق الرئيسية

1تتوقع شركة سامسونج للإلكترونيات أن تشكل ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) ما يقرب من 30% من إجمالي سعة رقائق DRAM العام المقبل.

2تبلغ الحصة الحالية لذاكرة HBM من سعة إنتاج صانعي الرقائق حوالي 20%.

تتوقع شركة سامسونج للإلكترونيات أن تشكل ذاكرة النطاق الترددي العالي (HBM) ما يقرب من 30% من إجمالي سعة رقائق DRAM العام المقبل. وذكرت رويترز أن هذا التوجه يعكس إعادة تخصيص صانعي الرقائق لمزيد من سعة الإنتاج لصالح المكونات المحسنة للذكاء الاصطناعي، مقارنة بالحصة الحالية التي تبلغ حوالي 20%.

أغلق سهم SMSN.L عند 4824 دولار في 28 سبتمبر 2026، حيث سجل السهم أعلى مستوى له خلال التداولات عند 4984 دولار وأدنى مستوى عند 4798 دولار. يأتي هذا التوسع في القدرة الإنتاجية استجابة لزيادة الطلب على الذاكرة عالية الهامش المستخدمة في معالجة بيانات الذكاء الاصطناعي.

سجّل الدخول للوصول إلى هذا المحتوى

تسجيل الدخول