SK海力士(SK hynix)已下单采购由应用材料公司(Applied Materials)和Besi联合开发的量产型混合键合设备。该设备价值约200亿韩元,旨在用于下一代高带宽内存(HBM)的研发。这项技术实现了直接的铜对铜键合,与传统的微凸块(microbump)方法相比,显著提高了集成密度和散热性能。此举标志着公司正向未来HBM4及更高版本产品的先进封装进行战略转型,这些产品对于高要求的AI工作负载至关重要。通过尽早采用这一技术,SK海力士旨在保持其在竞争激烈的AI内存市场中的领先地位。这一里程碑也凸显了行业正日益转向将混合键合作为高端半导体制造的新标准。
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