Tower Semiconductor y Coherent logran un avance en fotónica de silicio para centros de datos de IA

Tower Semiconductor y Coherent Corp. han anunciado la demostración exitosa de una transmisión de datos de 400 Gbps por carril utilizando un modulador de silicio avanzado. Esta tecnología está diseñada específicamente para alimentar los transceptores ópticos 3.2T de próxima generación, los cuales son fundamentales para los centros de datos de alta capacidad y las aplicaciones de IA. El logro se alcanzó mediante un proceso de fotónica de silicio (SiPho) listo para producción, destacando que no requiere el uso de materiales exóticos. Este hito responde a la creciente demanda de un mayor ancho de banda e interconexiones ópticas más eficientes dentro de las infraestructuras de IA y computación en la nube. Al validar la viabilidad de producción de la fotónica de silicio de alta velocidad, ambas empresas refuerzan su posición competitiva en la cadena de suministro de hardware para IA. La demostración marca un paso significativo en el escalado de la tecnología de comunicación óptica para satisfacer los futuros requisitos de red.

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